IBM presenta memoria ‘instantánea’ 100 veces más rápida que Flash

IBM ha presentado la solución de almacenamiento basada en memoria de cambio de fase (PCM) en la que está trabajando junto a compañías como Macronix y Quimodo. Una memoria cien veces más rápida en lectura y escritura que las actuales NAND Flash.

Esta nueva memoria de IBM podrá almacenar cuatro bits de datos por cada celda superando la capacidad de la memoria no volátil más extendida en la actualidad, las Flash NAND.

Parece que todos son ventajas aunque la memoria PCM de IBM, como otras de cambios de fase como PRAM y PCRAM, tendrá que lidiar con alguna de sus desventajas frente a Flash, la sensibilidad a la temperatura.
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